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英飞凌COOL MOS选型经验分享
[ 发布日期:2017-09-27 09:48:08 | 浏览:1221次 ]
        针对很多年轻工程师对分立器件应用上经常会遇到的一些问题,最近部门邀请英飞凌的技术做了个内部培训,相信很多不熟悉电源设计的朋友都有类似的问题,这里摘录部分与大家分享(摘录同事整理的资料,有出入的地方请指正。 同时欢迎大家参与分享MOS管使用经验):
 
1. 导通电阻
对大部份的应用而言,导通时所造成的导通损耗占整体MOSFET损耗的大部份,因此各家厂商均想办法降低MOSFET的导通电阻。MOSFET的最低导通电阻从1996 年的12mΩ降到今天的1mΩ以下。目前,英飞凌公司最新一代25V/30V的OptiMOS MOSFET最低额定导通电阻为1mΩ,如此低的导通电阻大幅地减少了导通损耗,提高了应用电路的功率密度。(在低电压功率晶体管中,封装电阻在整体导通电阻中所占比例较大,因此英飞凌最新的几款MOSFET主要以CanPAK、SuperSO8和S308新型封装为主,效率达93%以上,满负载>90%)。
 
2 高速切换/低切换损耗及驱动损耗
栅极电荷为造成切换损耗及驱重损耗之主要成因。较低的栅极驱动损耗,可以使得驱动电路的负载降低约30%以上。而且较快的切换还可以改善EMI。英飞凌新一代25V/30V的MOS管切换的上升下降时间均不低于5纳秒。
 
3 高效能
业界常用优质系数(Figure Of Merit,FOM)(FOM=RDSON×Qg)以导通电阻与栅极电荷的乘积值做为比较,可以客观的角度来评估MOSFET性能的优劣。在导通电阻相同的情况下,英飞凌号称全新OptiMOS 25V/30V器件的栅极电荷,比采用最接近的沟槽工艺制造的器件低35%,而其输出电荷比最佳的横向MOSFET器件低一半。
 
 
4 高功率/低热阻
MOSFET所能承受的最大功率损耗,是由硅片的接触面到外壳间的热阻所决定的,因此要达到高功率并减少导通电阻的目的,除了改良开发新的MOSFET 或工艺技术外,封装的方式亦扮演着重要的角色。英飞凌主流的封装方式为Super SO-8、CanPAKT相对传统的SO-8封装大幅减少热阻,并减少在焊接点及接触点的电阻外,进而降低等效导通电阻和组件本身的寄生电感。

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