英诺赛科INN650D02808BS增强功率晶体管GaN

2023-06-16 16:39      英诺赛科INN650D02808BS   增强功率晶体管GaN    浏览次数:(

一、一般说明

650V硅上GaN增强模式功率晶体管,采用双扁平低引脚封装(DFN),尺寸为8mmx8mm


二、特征

增强型晶体管-正常关闭电源开关

超高开关频率

无反向恢复收费

低栅极电荷,低输出电荷

符合JEDEC标准的工业应用

静电防护

RoHS指令不含铅,符合REACH标准


三、应用程序

交直流变换器

直流一直流转换器

BCM/DCM图腾杆PFC

电池快速充电

高密度功率转换

高效率的功率转换

英诺赛科INN650D02808BS增强功率晶体管GaN

英诺赛科INN650D02808BS增强功率晶体管GaN:INN650D080BS_Datasheet_Rev1.0.pdf


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