芯控源AGMSEMI原厂授权代理商
聚泉鑫科技是芯控源AGMSEMI原厂授权代理商,原装正品芯片,一级代理,供应保障,有技术支持,目前技术团队有13人,不同工程师负责不同领域。芯控源产品领域有:汽车,通信,工业,家电,消费电子;主要从事:PD快充应用,无刷电机应用,无线充应用,电池管理应用,PFC+LLC电源应用,直转交流逆变器,高中低压MOS,碳化硅MOS,IGBT产品选型表,IPM模块等研发生产。
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无线充应用
智能、便携产品的发展,注定无线充产品将会得到消费者的青睐, 无线充电技术凭借着简单、高效的特点在智能手机领域获得了巨大的成功。
无线充电器是利用电磁感应原理进行充电的设备,其原理和变压器相似,通过在发送和接收端各安置一个线圈,发送端线圈在电力的作用下向外界发出电磁信号,接收端线圈收到电磁信号并且将电磁信号转变为电流,从而达到无线充电的目的。无线充电技术是一种特殊的供电方式,它不需要电源线,依靠电磁波传播,然后将电磁波能量转化为电能,最终实现无线充电。
针对无线充产品,芯控源推出适用于电路中H桥的低内阻的双N或都N+P封装的MOSFET,以及在多线图中切换40V,60V的双N-MOSFET,适配于各类主控芯片的驱动,电压从20V-100V,封装有SOT23-6,SOP-8,DFN3X3,DFN5X6等,芯控源推出的低阻抗,开关频率高的MOS产品,使无线充可以更高效率,更小形,更大功率。
PD快充应用
PD快充,主要适配在手机、笔记本充电器、电动工具等。PD的核心部分为AC-DC及SR副边控制,由于现在前级高压GaN器件的量产,使产品的体积更小,方案的频率提到150KHZ,此时对SSR同步的可靠性与能效比有着较高的要求。而开关控制器件则在其中扮演着核心角色,合理的器件选择能有效降低损耗,提高可靠性,降低EMC。
针对现代PD电源的需要,芯控源推出的SGT低压MOSFET产品,且有开关响应迅速,能效更高,发热更低,可用于150KHZ的以上的开关应用,使系统表现更优秀。
芯控源的SGT系列产品具有更快的开关速度,更低的导通损耗、极低的栅极电荷(Qg),从而降低了器件的功率损耗,提高系统效率。同时,由于采用了自主创新技术,优化了器件的开关特性,器件在系统中具有更好的EMI表现。另外,多样的封装形式能满足客户的不同需求。
电池管理应用
随着新能源的发展,电池的产品更加丰富,电池的安全成了人们生活中重要的一部分。电池管理系统 (BMS) 是一种电子控制电路,可监控并调节电池的充放电,并对整个系统进行调节,从而控制锂电池的充放电情况,从而对锂电池在面临过充或过放失控的时候及时切断锂电池的通路,保证电池的安全性。
芯控源针对电池管理系统的安全及可靠需求,开发出具有良好的抗电流冲击能力的产品,可以充分保证被控电池周边人员的安全,极大的提高应用的可靠性也更能保证整个电池管理系统的正常运行。例如Super Trench MOSFET 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。产品将更适宜于高温严酷环境下的应用。
无刷电机应用
无刷直流电机(BLDC)由电动机主体和驱动器组成,是一种典型的机电一体化产品。无刷电机是指无电刷和换向器(或集电环)的电机,又称无换向器电机。由于BLDC产品具有无刷,高效,高寿命,静音的优点,近年来得到高速的增长,市场在不断的从有刷电机替换成无刷电机。如:泵、扇、电动工具、园林工具、电动双轮车等等。
芯控源Normal Trench MOSFET系列&Super Trench MOSFET系列,在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致,全面提升了器件的开关特性和导通特性。特别是Super Trench技术为您带来了更低的导通损耗以及更好的开关特性,如今新的SGT产品较第一代产品综合性能提升20% 以上,使您获得更高的效率。同时如果更加关注成本,也可以选择Normal Trench MOSFET系列,来获取更高的性价比。
配合先进的封装技术,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。
PFC+LLC电源应用
PFC+LLC大功率电源,广泛运用于日常生活的各项电器电源中,如工业设备、LED照明、电动车充电器、储能电池等等。适配器的核心部分为AC-DC控制器,由于高压的存在,对器件的可靠性与能效比有着较高的要求。而开关控制器件则在其中扮演着核心角色,合理的器件选择能有效降低损耗,提高可靠性,降低EMC。
针对大功率电源的需要,我司针对前级高压MOS,推出Super-Junction技术的应用同时实现了更大电流和高压能力,并且开关响应迅速,能效更高,发热更低,针对SSR次级半桥/全桥的应用,推出Low Ciss SGT 低压MOSFET,可用于高达150KHZ或以上的开关应用,使系统表现更优秀。
芯控源SGT MOSFET产品具有更快的开关速度,更低的导通损耗、极低的栅极电荷(Qg),从而降低了器件的功率损耗,提高系统效率。同时,由于采用了自主创新技术,优化了器件的开关特性,器件在系统中具有更好的EMI表现。另外,多样的封装形式能满足您的不同需求。
直转交流逆变器
DC-AC逆变器是一种能够将 DC12V-48V直流电转换为交流与市电相同的电压,供一般电器使用,车载逆变器主要由DC-DC升压电路、AC-DC全桥逆变电路、防反接电路组成,近年来,由于全球新能源汽车的增长,和能源危机及能源排放的双重影响下,储能电池及太阳光伏产品得到爆发的增长,DC-AC逆变器也随之进入消费市场中。
芯控源拥有丰富的分立式半导体产品, 包括中低压MOSFET、高压超结以及IGBT,可提供最匹配应用性能需求的产品,以实现逆变器高转换效率的要求。
芯控源着重推出全新一代Trench FS IGBT系列产品,通过釆用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺,优化载流子注入效率和载流分布,显著降低器件的饱和压降和关断损耗,从而降低器件功耗,提升系统效率。
IGBT产品选型表
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管,是在普通VDMOS基础上,晶圆背面增加了P+注入,利用电导调制效应在漂移区增加载流子数量,从而大幅度降低器件的导通电阻和芯片面积。IGBT器件电流密度高且功耗低,能够显著提高能效、降低散热需求,适用于高电压、大电流等大功率场景。
AGMSEMI的IGBT采用目前业内最新的trench FS工艺,依托于国内成熟且工艺领先的8寸/12寸晶圆生产线,拥有更低的导通压降和开关损耗,以及更强的可靠性。
目前芯控源IGBT产品根据应用场景的不同,拥有F、S、D、L等系列,覆盖了600V~1200V以及5A~900A的功率范围,广泛应用于通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电焊接、开关电源以及新能源等领域。