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聚泉鑫为大家搭建推荐搭配了一款33W的PD快充方案利用硅动力SP8666E+SP6519F实现,具体的测试报告如下:SP8666E+SP6519F 33W DEMO 测试报告 (2022-06-02).pdf
SP8666E 是一颗高性能、多工作模式的 PWM集成芯片。芯片可以工作在跳频及绿色模式,以此来减小空载和轻载时的损耗,也可以工作在 OR工作模式及 CCM 工作模式,提高整机的工作效率。
SP8666E 在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以此来进一步减小待机时的功耗。
SP8666E 内置多种保护,包括:输入电压过低保护(Brown-out),输入电压过高保护(Line-ovp),输出电压过压保护(VO OVP)输出二极管短路保护,逐周期过流保护(OCP)过载保护(OLP),VDD 过压保护(OVP),VDD欠压保护(UVLO),过温保护(OTP)等。SP8666E 采用 ESOP-6 封装
SP6519F 是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中,轻松满足6级能效,是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达 150kHZ的开关频率应用,并且支持 CCM/OR/DCM等开关电源工作模式应用,其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效率,大幅降低了整流器件的温度。芯片内置耐压 100V的NMOSFET 同步整流开关,且具有极低的内阻,典型 RdsON 低至 10m2,可提供系统高达 3A 的应用输出:还内置了高压直接检测技术,耐压高达 200V:以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围。
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