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英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04是属于一款650V GaN增强型功率晶体管,其特征如下:
(1)增强型晶体管常闭电源开关
(2)超高开关频率
(3)无反向恢复指控
(4)低栅极电荷、低输出电荷
(5)符合JEDEC标准的工业应用
(6)ESD保护
英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04可用于20W快充充电器方案及30WPD快充方案设计。
基于英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04设计的30W PD快充方案简介:
(1)输入电压范围:90—264 Vac
(2)输出电压范围:5-20 V
(3)尺寸:32*36*19
(4)功率密度:22.5 W/in3
(5)最高效率:93%
(6)方案芯片:INN650DA04(GaN)+SC3021(直驱GaN IC)+SC3503(同步整流),HUSB339(协议)
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