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- 其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(982)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET
- AGM1010A2是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RD SON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1182)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM310AP1沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- 100%EAS保证绿色设备可用*超低栅极电荷优异的CdV/dt效应衰减先进的高电池密度沟槽技术。AGM310AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1276)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽沟式N-沟道MOSFET-聚泉鑫
- AGM308AP是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(893)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM306AP沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- AGM306AP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(815)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM311MAP芯片沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- AGMSEMI AGM311MAP,耐压30V,导阻10.5mΩ,DFN3.3*3.3封装,用于线圈驱动。AGM311MAP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1018)
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- 其他芯片方案 英集芯IP5356充电流控制寄存器,口轻载电流设置寄存器
- IP5356 支持 LED1LED2 复用为12C 的连接方式,按照对应的方式连接和上电就会关闭其他功能,自进入12C模式。IP5356 i2c 通讯频率最高支持 300K ,8bit 寄存器地址,8bit 寄存器数据,发送和接收都是高位在前(MSB),12C 设备地址有两组,一组:写为 0xE8,...
2023-08-09 查看(1525)
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- 其他芯片方案 IP2218 USB接口的快速充电物理层IC_聚泉鑫
- IP2218是一款USB端口专用的快速充电物理层芯片,支持11种快速充电标准,包括USBPD2.0/PD3.0/PPS(可编程电源),HVDCPQC2.0/QC3.0(快速充电) ,Allied CapitalCorporation (三星@自适应快速充电)、SCP(海思超级充电协议)和FCP (海...
2023-06-17 查看(1000)
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- 其他芯片方案 英集芯IP2189端口的快充协议 IC_聚泉鑫
- IP2189 具备高集成度和丰富的功能,应用方案外围器件最少化,有效减小整体方案的尺寸和复杂度,降低 BOM 成本。为适配器、车充等单向输出应用提供完整的 TypeC PD 解决方案。...
2023-06-17 查看(886)