芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 09:51      芯控源AGM12T05A   高单元密度沟槽N沟道MOSFET    浏览次数:(

*100% EAS Guaranteed

* Green Device Available

* Super Low Gate Charge

* Excellent CdV/dt effect decline

* Advanced high cell density Trench technology


Description

AGM12T05A is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellentRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications

芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

当前位置: 聚泉鑫 > 芯片方案中心 > 其他芯片方案> 芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET
扫二维码与项目经理沟通

我们在微信上24小时期待你的声音

解答本文疑问/技术咨询/运营咨询/技术建议/互联网交流

郑重申明:聚泉鑫以外的任何单位或个人,不得使用该案例作为工作成功展示!