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什么是氮化镓GaN? 氮化镓GaN是一种新型半导体材料,属于第三代半导体核心材料,它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。采用GaN氮化镓元件,充电器不仅仅可以做到体积小和重量轻,在发热量和效率转换上相比旧款充电器也更具优势。 氮化镓GaN有哪些优势? 目前大部分电子元器件的基础材料是硅Si,在电子行业中,硅Si是非常重要的一种基础材料。但是随着硅极限被逐步逼近,基本上现在硅的开发已经达到了瓶颈,许多产业已经开始努力寻找更合适的替代品,而氮化镓GaN就是这样进入到了人们眼中。 (1)相对硅而言,氮化镓GaN拥有更宽的带隙,宽带隙也就意味着,氮化镓能比硅承受更高的电压,拥有更好的导电能力。 简而言之两种材料在相同体积下,氮化镓GaN比硅的效率高出不少。 如果氮化镓GaN替换现在所有电子设备,可能会让电子产品的用电量再减少10%或者25%。 (2)氮化镓GaN能比硅承受更高的电压,拥有更好的导电能力。 这意味着,在许多电源管理产品中,氮化镓是更强的存在。 应用层面,采用氮化镓做充电器的话能够实现更快充电更小体积。采用氮化镓GaN基材的快充充电器比硅基材料的普通充电器,体积能够缩小40%左右。 (3)氮化镓GaN能比硅拥有更好的散热能力。能够实现充电器充电全程低温。 氮化镓GaN充电器由于有GaN(氮化镓)加持,发热低,散热快,可在常温环境下连续工作1000小时以上安全无损伤。不会出现由于受到充电器发热影响,效率明显下降的情况! 基于氮化镓GaN材料设计的充电器,对于用户而言,最直接的好处是,能够拥有一个体积更小、重量更轻、发热量更低、充电速度更快、并且能够长时间稳定输出充电的快充充电器产品! |
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